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第59章 为了国家半导体发展去培养人才求追读（第1页）

客厅内。

时间一分一秒地过去。

吴德心和李智俭两人，紧张得大气都不敢出。

江阳偶尔皱眉时。

他们的心更是一沉到底。

……

就这样过去10多分钟。

江阳看完吴德心的稿纸后，

缓缓道：

“创建电离杂质散射和晶格振动散射的理论建模，这一步做得不错。”

“但要考虑到。”

“在低温下，部分杂质是否有未电离的问题，不能将总掺杂浓度nd直接代入……”

听着江阳的分析。

吴德心“唰”地一下直接低下了头。

但他并没有失落太久，

很快就调整好心态。

从随身的挎包中，掏出纸笔记下江阳所说的问题。

……

接下来。

轮到李智俭。

他选择的问题。

是高电场下的载流子雪崩击穿机制的定量分析。

实话说。

这放在国际学界，都是一个难题。

首篇硅雪崩二极体专利，都是到了60年，才由贝尔实验室申请。

想在国内研究。

基础的雪崩击穿理论，非常难获取不说。

比较关键的载流子热化效应也尚未完全阐明。

只依靠简化的模型。

基本没有解决这个问题的可能。

当然。

李智俭的研究思路，还是非常不错的。

江阳看完后。

拿出铅笔，在一张稿纸写下雪崩击穿条件：

看着复杂的数学公式。

李智俭愣了愣，隐隐好象抓到了什么。

但一时又想不出来。